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在開發(fā)和使用MOSFET、IGBT、二極管及其他大功率器件，需要進(jìn)行器件級(jí)的靜態(tài)參數(shù)測(cè)量，如擊穿電壓、通態(tài)電流和電容測(cè)量，并不斷優(yōu)化開關(guān)狀態(tài)下的電氣性能。就要使用到IV參數(shù)曲線測(cè)試儀2600-PCT-2B，